中科院理化所张晓宏研究组在硅纳米线阵列材料制备方面取得新进展，相关研究结果发表在《纳米快报》（Nano Letters 2010, 10(3), 864-868.）上。

硅纳米线材料的可控制备受到广泛关注，但研究工作主要集中于直线状一维纳米材料的可控制备方面。弯折硅纳米线被认为是可能作为一种新型连接构件来减少器件的接触位点，从而改善器件输运性能的新颖一维纳米材料，但是目前仅有少量关于通过气相方法得到弯折硅纳米线材料的文献报道，具体生长机理尚不明确，并且不能满足大量制备的应用需求。弯折硅纳米线材料的低产率也限制了对其性能和器件应用的深入研究。因此，在温和条件下实现弯折硅纳米线材料的大量制备具有十分重要的研究意义。

该研究组在金属离子辅助的溶液刻蚀方法基础上，进一步研究了不同表面形貌的<111>晶向单晶硅片在Ag纳米颗粒引导下与氢氟酸作用的机制，通过调节反应温度和刻蚀溶液金属离子浓度，在接近室温条件下获得了三种不同弯折角度的单晶硅纳米线阵列。研究表明，刻蚀反应过程中Ag纳米颗粒对于硅<100>晶向和其它晶向的不同作用能力的差异，是产生弯折硅纳米线的主要原因。利用硅片内部晶面取向的多样性和刻蚀反应条件的调控，制备得到具有特定弯折角度的硅纳米线阵列，并且可以调控单晶硅片表面特定部位纳米线阵列的结构形貌，使其具有特定的吸收/反射能力，该结构在硅基微/纳米结构光电子器件中具有广泛的应用前景。

该工作得到国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持。

（转自：中科院理化所网站）